在這個以資料為中心的年代，人們越來越依賴雲端服務，5G行動通訊的成熟更加劇資料移動的需求，不僅讓資料中心內部承受巨大的頻寬壓力，各個通訊節點之間也需要高速連結，讓您在這個快速的時代洞察趨勢方向。
2002年由PCI-SIG正式公佈的「PCI Express」高速序列電腦擴充匯流排標準，亦可寫作「PCIe」，採用序列、點對點拓樸的架構，取代過去PCI/PCI-X的並列、分享匯流排頻寬傳輸方式，不僅替未來高速傳輸埋下伏筆，更導入多通道傳輸模式，提供彈性化的電腦周邊互連組態。
首發PCIe版本單向單通道傳輸率提供2.5GT/s，約250MB/s頻寬，雙向傳輸即可提供500MB/s，相較PCI與匯流排上所有設備分享133MB/s（32bit、33MHz）快上許多，結合8條通道的多通道傳輸亦可輕鬆超越PCI-X 2.0的2132MB/s（64bit、266MHz）。此後PCIe大約按照2倍頻寬的的步伐更新，PCIe Gen2單向傳輸率為5GT/s，PCIe Gen3之後改採128b/130b編碼方式，Gen3單向傳輸率為8GT/s，約984.6MB/s頻寬，PCIe Gen4則再次翻倍，單向單通道傳輸率為16GT/s，約1969MB/s頻寬。
資料來源： PCI-SIG 推出 PCIe 4.0 第1.0版
AMD平台導入PCIe Gen4的時程較早，消費端和企業端均於2019年第三季推出支援產品；Intel則分別於2020年第三季和2021年第二季推出支援PCIe Gen4的消費端和企業端產品。這也表示目前2大x86平台陣營均已導入PCIe Gen4，以最新、最快的介面滿足資料移動的需求。以支援PCIe x4和熱插拔能力的U.2 NVMe SSD為例，升級PCIe Gen4即可享有單向接近8GB/s的頻寬，為PCIe Gen3的2倍，僅需數秒即可傳輸1部4K高畫質影片。若您的應用需要多張加速卡進行深度學習、人工智慧運算，PCIe Gen4翻倍的頻寬更可帶來一定程度的效能提升。
快閃記憶體進入3D堆疊結構世代，已不再以微縮儲存單元尺寸，作為降低成本的主要手段，而是如同字面意義，以3D堆疊的方式將儲存單元逐層堆疊，如同都市更新將一樓平房改造成高樓大廈，強化單位面積下的儲存效率。
作為儲存業界技術領導者的Micron美光，快閃記憶體早已導入CMOS-under-array（CuA）設計，將儲存單元以外所需電路擺在下方，提升晶片面積利用率。更是第一家推出176層3D堆疊TLC快閃記憶體的廠商，再一次突破儲存密度與存取效能。
Micron美光176層快閃記憶體採用自家最新RG（replacement-gate）設計，透過一層不導電的氮化矽化合物，捕捉電荷作為快閃記憶體儲存使用，攻克每個儲存單元之間的電容性干擾問題，更將原本的多晶矽閘極替換成金屬閘極，藉此降低電阻讓讀寫作業更為快速。
若要堆疊更多的層數，蝕刻品質以及直徑亦相當重要，藉由整合上述多項先進技術，Micron美光176層快閃記憶體的讀寫效能，相較自家採用浮動閘極（floating gate）的96層快閃記憶體快上35％，相較已採用RG設計的128層快閃記憶體亦提升25％。
Micron美光176層快閃記憶體採用RG設計，相較自家96層快閃記憶體讀寫速度快上35。
Micron美光176層快閃記憶體已先行使用於用戶端SSD系列產品，均支援PCIe Gen4釋放讀寫效能。Micron 3400 SSD為M.2 2280旗艦款產品，支援PCIe Gen4 x4最高循序讀寫速度分別達6600MB/s和5000MB/s。Micron 2450則具備M.2 2230/2242/2280等多種外型規格，符合您多樣化的需求。消費端則於8月3日推出Crucial P5 Plus，同樣結合PCIe Gen4與176層快閃記憶體優勢。
Micron 3400 SSD為用戶端旗艦型產品，結合PCIe Gen4與176層快閃記憶體優勢，最高循序讀寫速度分別為6600MB/s和5000MB/s。
