如何緩解現代資料中心的QoS挑戰-在最短時間之內，提供最高品質的服務

資料中心營運商在它們的日常作業中，發覺到快速變化的挑戰和日益增加的需求，例如：該如何確保必要的應用能夠擁有一致性的反應時間？該如何安全地儲存日益成長的關鍵業務資料？該如何在儲存更多資料至更少系統的同時，亦能夠確保安全並容易維護？

許多資料中心的應用要求即時反應時間，它們使用、處理、回應的資料，交付時間必須快速、可靠，且一致。此類應用如SQL、NoSQL資料庫，以及視訊、音訊相關應用，均對延遲時間十分敏感，資料必須在一定時間之內提供，否則應用服務品質將大幅度下滑—例如音訊可能會聽不清楚、視訊畫面則是不斷凍結、破圖。

服務品質（Quality of Service、QoS）是用來描述SSD應用延遲一致性的指標之一，QoS通常使用一串包含「9」的數字和臨界值做為表示，例如99.9999％和2ms，就代表在特定的工作負載之下，99.9999％的應用I/O可在2ms（毫秒、千分之一秒）之內完成工作，也是每百萬筆工作僅有1個工作可能會超過2ms，這是十分嚴苛的要求。

為了跟上日益提升的資料需求，儲存產業需要提升效能並擴充容量。為了滿足需求，Micron美光精進NAND快閃記憶體技術，以176層NAND將電源效率、效能、容量推向新高，為資料中心SSD打造最為先進的NAND。

 

電源效率—Micron美光176層NAND採用替換閘（Replacement Gate、RG）技術，取代過去絕緣體分離各個儲存單元的結構，單一絕緣體構造消弭儲存單元間的電容耦合現象，進而提升電源效率。

▲Micron美光採用替換閘技術的NAND，能夠大幅降地儲存單元間的電容耦合現象，進而提升電源效率。

效能—透過176層NAND的結構，可以使用更少量、強度更低的電脈衝（electrical pulse）向NAND寫入（Program）資料。更少的電脈衝也就意味著資料寫入至NAND儲存單元的時間變得更短，也就提升了NAND的寫入效能。

▲資料寫入至Micron美光176層NAND時，由於所需的電脈衝時間縮短，降低寫入所需時間，也就提升了NAND的寫入效能。

容量—Micron美光將控制所需的CMOS電路，擺放至NAND儲存單元陣列的正下方，也就是我們所使用的CuA（CMOS-under-Array）架構，提升單位面積的儲存密度。不使用CuA技術的NAND，需將CMOS電路擺放在NAND陣列的側邊，消耗額外的晶片空間。

▲Micron美光使用CuA架構，將控制NAND儲存單元陣列所需的CMOS電路，擺放在正下方，提升晶片單位面積的儲存密度。
Micron 7450 SSD不僅採用176層NAND，享有更優秀的電源效率、效能和容量，同時結合Micron美光精心研發的控制器和記憶體，提供99.9999％和2ms以下的QoS表現。PCIe Gen4 x4介面和E1.S、U.3、M.2多元的外型規格，提供您資料中心儲存解決方案的規畫彈性，您可以在1U伺服器的前方，最多安排246TB（7.68TB E1.S x 32）容量。
除此之外，Micron 7450 SSD還支援先進安全性選項與通用韌體架構。先進安全性選項支援FIPS 140-3 Level 2、SED、Non-SED、Microsoft eDrive，量身打造安全性並滿足部署需求。